Publications of Günther Schwarz

Hedström, M.; Schindlmayr, A.; Schwarz, G.; Scheffler, M.: Quasiparticle corrections to the electronic properties of anion vacancies at GaAs(110) and InP(110). Physical Review Letters 97 (22), 226401 (2006)

Ebert, P.; Quadbeck, P.; Urban, K.; Henninger, B.; Horn, K.; Schwarz, G.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Identification of surface anion antisite defects in (110) surfaces of III-V semiconductors. Applied Physics Letters 79 (18), pp. 2877 - 2879 (2001)

Ebert, P.; Urban, K.; Aballe, L.; Chen, C.-H.; Horn, K.; Schwarz, G.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Symmetric versus nonsymmetric structure of the phosphorus vacancy on InP(110). Physical Review Letters 84 (25), pp. 5816 - 5819 (2000)

Schwarz, G.; Kley, A.; Neugebauer, J.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Electronic and structural properties of vacancies on and below the GaP(110) surface. Physical Review B 58, pp. 1392 - 1400 (1998)

Schwarz, G.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Point defects on III-V semiconductor surfaces. In: Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors: Osaka, Japan, September 17 - 22, 2000, pp. 1377 - 1380 (Eds. Miura, N.; Ando, T.). Springer, Berlin (2001)

Schwarz, G.: Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern. Dissertation, Technische Universität, Berlin (2002)

Schwarz, G.: Theoretische Untersuchungen zu Leerstellen auf der (110)-Oberfläche von GaP. Diploma, Technische Universität Berlin, Berlin (1996)